Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «ВЛИЯНИЕ ЛЕГИРОВАНИЯ ПОВЕРХНОСТИ БАЗЫ НА ПАРАМЕТРЫ БИПОЛЯРНОГО ДВУХКОЛЛЕКТОРНОГО ЛАТЕРАЛЬНОГО МАГНИТОТРАНЗИСТОРА, "Микроэлектроника"»

Авторы:
  • Красюков А.Ю.1
  • Тихонов Р.Д.2
  • Черемисинов А.А.3
стр. 279-
Платно
1 МИЭТ, 2 НПК “Технологический центр”, 3 МИЭТ
  • В выпуске: №4, 2013, Том 42
  • В журнале: Микроэлектроника
  • Издательство: ФГУП «Издательство «Наука»
  • Рубрика ГРНТИ: Информатика. Информационные и вычислительные системы
  • Год выхода: 2013
Аннотация:
Эффект инверсии чувствительности магнитотранзистора исследован с помощью приборно-технологического моделирования. Сравнение результатов моделирования и экспериментальных данных дало возможность установить связь знака чувствительности с распределением потоков инжектированных носителей заряда в структуре двухколлекторного латерального биполярного магнитотранзистора <i>npn</i>-типа, базой которого является диффузионный карман (3КБМТБК). Установлено, что магнитотранзистор 3КБМТБК с малой скоростью поверхностной рекомбинации на границе раздела кремний?диоксид кремния и с экстракцией инжектированных электронов удаленным от поверхности <i>рn</i>-переходом база?карман (подложка) позволяет получить высокую чувствительность 11 В/Тл при хорошей воспроизводимости и стабильности параметров.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.