Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «ГЕЛИЕВЫЕ ПУЗЫРИ В СЛОЯХ SI(001) ПОСЛЕ ВЫСОКОДОЗОВОЙ ИМПЛАНТАЦИИ И ТЕРМИЧЕСКОГО ОТЖИГА, "Микроэлектроника"»

Авторы:
  • Ломов А.А.1
  • Мяконьких А.В.2
  • Чесноков Ю. М.3
стр. 187-197
Платно
1 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технологический институт РАН, Москва., 2 Физико-технологический институт РАН, Москва, 3 Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт’’
  • В выпуске: №3, 2018, Том 47
  • В журнале: Микроэлектроника
  • Издательство: ФГУП «Издательство «Наука»
  • Рубрика ГРНТИ: Информатика. Информационные и вычислительные системы
  • Год выхода: 2018
Аннотация:
Методом высокодозовой низкоэнергетичной плазменно-иммерсионной ионной имплантации H+ (Е=2-5?кэВ) в подложку Si(001) сформированы скрытые слои с гелиевыми порами-пузырями. Структурные исследования слоев и пузырей выполнены методами рентгеновской рефлектометрии, малоуглового рассеяния и просвечивающей электронной микроскопии. Изучены изменения реальной структуры слоев и пор-пузырей при термическом отжиге. Показано, что в результате имплантации ионов гелия с дозой 5?1017см-2 в приповерхностных слоях подложек кремния формируется многослойная структура, в целом, состоящая из аморфного, пористого аморфного и пористого кристаллического субслоев. Определены структурные параметры субслоев (плотность, толщина, размер границ), концентрация и размеры пор-пузырей (bubbles) при отжиге с 580 и 800°C. Показано, что отжиг приводит к бимодальному распределению пор-пузырей со средними размерами 2-3 и 7-8?нм. Установлено, что верхний аморфный слой имеет толщину 15?нм и может рассматриваться в качестве защитного слоя при дальнейшей обработке.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.