Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «ВЛИЯНИЕ ДОЗЫ ЭКСПОНИРОВАНИЯ НА СТОЙКОСТЬ НЕГАТИВНОГО ЭЛЕКТРОННОГО РЕЗИСТА HSQ В ПРОЦЕССАХ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО И ХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ, "Микроэлектроника"»

Авторы:
  • Мяконьких А.В.1
  • Орликовский Н.А.2
  • Рогожин А.Е.3
  • Татаринцев А.А.4
  • Руденко К.В.5
стр. 179-186
Платно
1 Физико-технологический институт РАН, Москва, 2 Физико-технологический институт Российской АН, 3 Физико-технологический институт Российской АН, Москва, Нахимовский пр-т, 34, 4 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем технологий микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, 5 Физико-технологический институт РАН, Москва
  • В выпуске: №3, 2018, Том 47
  • В журнале: Микроэлектроника
  • Издательство: ФГУП «Издательство «Наука»
  • Рубрика ГРНТИ: Информатика. Информационные и вычислительные системы
  • Год выхода: 2018
Аннотация:
Проведено исследование стойкости негативного электронного резиста на основе водород-силсесквиоксана в процессе плазмохимического травления в зависимости от дозы его облучения электронами. Экспериментальные данные показывают существенную зависимость плазмостойкости резиста от дозы экспонирования электронным пучком (при условии полного проявления) даже с учетом отжига резистивной маски при 400°C в течение 30?мин на воздухе. Были получены значения селективности к резисту в процессах анизотропного травления кремния в плазме газов SF6/C4F8 до 14:1. Было также показано, что существует сильная зависимость стойкости полученных структур резиста в процессе только химического травления в 5% растворе плавиковой кислоты (HF). Полученные результаты могут быть использованы для формирования кремниевых наноразмерных структур. В частности, с учётом полученных результатов, были изготовлены кремниевые Fin-структуры шириной 10?нм с аспектным соотношением 1:10.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.