Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «ИНФРАКРАСНЫЕ ДЕТЕКТОРЫ С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ, ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ К ИЗЛУЧЕНИЮ С ЭНЕРГИЕЙ КВАНТОВ БОЛЬШЕ ВЫСОТЫ ПОТЕНЦИАЛЬНОГО БАРЬЕРА, "Микроэлектроника"»

Авторы:
  • Керимов Э.А.1
  • Казымов Н. Ф.2
  • Мусаева С. Н.3
стр. 146-152
Платно
1 Институт космического исследования природных ресурсов, 2 Национальное Аэрокосмическое Агентство Институт Космического Исследования Природных Ресурсов Национальное Аэрокосмическое Агентство Институт Экологии, 3 Азербайджанский технический университет
  • В выпуске: №2, 2018, Том 47
  • В журнале: Микроэлектроника
  • Издательство: ФГУП «Издательство «Наука»
  • Рубрика ГРНТИ: Информатика. Информационные и вычислительные системы
  • Год выхода: 2018
Аннотация:
Разработана технология получения силицида смеси Pt/Ir и фоточувствительных структур Pt/Ir-Si с барь­ером Шоттки в средней области ИК-спектра. Установлено, что основным механизмом детектирования в структурах Pt/IrSi-р-Si является фотоэмиссия дырок Pt/IrSi в кремний. При этом максимальная фоточувствительность наблюдается при толщине Pt/IrSi, не превышающей длину свободного пробега дырок (меньше 460 ?). Построена энергетическая зонная диаграмма структур с барьером Шоттки на основе контакта Pt/IrSi - Si.?Определено, что электронное сродство Pt/IrSi в зависимости от технологических режимов его получения, изменяется в интервале 4,7?5,26?эВ.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.