Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «ЧАСТОТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ НИТРИД-ГАЛЛИЕВЫХ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С ЛОВУШКАМИ В БАРЬЕРНОМ СЛОЕ, "Микроэлектроника"»

Авторы:
  • Алёшин А.Н.1
  • Зенченко Н.В.2
  • Пономарев Д.С.3
  • Рубан О.А.4
стр. 153-157
Платно
1 Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН, 2 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН), 3 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия., 4 Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН, Москва
  • В выпуске: №2, 2018, Том 47
  • В журнале: Микроэлектроника
  • Издательство: ФГУП «Издательство «Наука»
  • Рубрика ГРНТИ: Информатика. Информационные и вычислительные системы
  • Год выхода: 2018
Аннотация:
В работе приведена модификация нелинейной модели транзистора Fujii путем введения значения подзатворной емкости, полученной из измерений вольт-фарадных характеристик. Показано, что предложенная модель позволяет корректно определить рабочую частоту транзистора с учетом влияния заряженных дислокационных линий в барьерном слое гетероструктуры. Значения рабочей частоты, полученные с помощью такой модифицированной модели, хорошо коррелируют с измеренными значениями.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.