Статья «TCAD МОДЕЛИРОВАНИЕ ЭФФЕКТОВ ВОЗДЕЙСТВИЯ ОДИНОЧНЫХ ЯДЕРНЫХ ЧАСТИЦ НА ЯЧЕЙКИ ПАМЯТИ STG DICE, "Микроэлектроника"»

TCAD моделирование воздействий одиночных ядерных частиц на ячейки памяти STG DICE с транзисторами, разнесенными на две группы (Spaced Transistor Groups DICE), было проведено с использованием набора тестовых треков, проходящих через стоковые области взаимно чувствительных КМОП транзисторов как одной группы транзисторов, так и двух групп на глубинах от 50 нм до 850 нм от поверхности кристалла. Воздействия заряда с трека только на одну из групп транзисторов не приводят к сбоям, при этом длительность нестационарного состояния описывается линейной функцией с коэффициентом 1.3-2.4 пс/(МэВ ? см2/мг) при прохождении трека на глубинах 50-350 нм и с коэффициентом 11-12 пс/(МэВ ? см2/мг) на гл?бинах трека 450-850 нм в диапазоне линейных потерь энергии на треках 1-60 МэВ ? см2/мг. Сбой логического состояния STG DICE возможен при треках вдоль линии, соединяющей две группы транзисторов, и при угловых отклонениях до 40°. Для треков по нормали к поверхности кристалла сбой возможен при линейных потерях энергии больше 50-60 МэВ ? см2/мг.