Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «ПОЛУЧЕНИЕ ТОНКИХ ПЛЕНОК ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ ПУТЕМ ОБРАБОТКИ ВОДОРОДОМ И ОТЖИГА ПРИ НИЗКОЙ ТЕМПЕРАТУРЕ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ICPCVD, "Микроэлектроника"»

Авторы:
  • Лета А.Ж.1
  • Лин К.Л.2
  • Иен В.К.3
  • Хван Х.Л.4
стр. 323-
Платно
1 Департамент электротехники и Институт электроники, Национальный университет Синьхуа, Хсинчу 300, Тайвань, 2 Департамент электротехники и Институт электроники, Национальный университет Синьхуа, Хсинчу 300, Тайвань, 3 Департамент электротехники и Институт электроники, Национальный университет Синьхуа, Хсинчу 300, Тайвань, 4 Департамент электротехники и Институт электроники, Национальный университет Синьхуа, Хсинчу 300, Тайвань
  • В выпуске: №5, 2013, Том 42
  • В журнале: Микроэлектроника
  • Издательство: ФГУП «Издательство «Наука»
  • Рубрика ГРНТИ: Информатика. Информационные и вычислительные системы
  • Год выхода: 2013
Аннотация:
Тонкие пленки поликристаллического кремния (поли-Si) со столбчатой структурой были получены методом, состоящим из послойного нанесения с последующей обработкой водородом и отжигом при 375°С в процессе плазмохимического осаждения с источником низкочастотной индуктивно-связанной плазмы (<b>ICPCVD</b>).

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.