Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «РАСЧЁТНО-ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ОЦЕНКА НАДЁЖНОСТИ ГЛУБОКОСУБМИКРОННЫХ КНИ МОП-ТРАНЗИСТОРОВ ПРИ ВЫСОКИХ ТЕМПЕРАТУРАХ, "Микроэлектроника"»

Авторы:
  • Бенедиктов А. С.1
  • Шелепин Н. А.2
  • Игнатов П. В.3
стр. 244-248
Платно
1 Научно-исследовательский институт молекулярной электроники, 2 АО “Научно-исследовательский институт молекулярной электроники”, 3 Научно-исследовательский институт молекулярной электроники
  • В выпуске: №3, 2018, Том 47
  • В журнале: Микроэлектроника
  • Издательство: ФГУП «Издательство «Наука»
  • Рубрика ГРНТИ: Информатика. Информационные и вычислительные системы
  • Год выхода: 2018
Аннотация:
Рассмотрены КНИ МОП-транзисторы с нормами от 0,18 до 0,5?мкм на предмет соответствия критериям надёжности, предъявляемым к высокотемпературной электронике и её компонентам. Основные параметры КНИ МОП-транзисторов измерялись в диапазоне температур от -60 до +300°C. Выявленные особенности КНИ МОП-транзисторов, которые проявляются при высоких температурах, необходимо учитывать при проектировании высокотемпературных ИС с целью избегания прежде­временных отказов и повышения надёжности устройств.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.