Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «ПРОЦЕССЫ АТОМНО-СЛОЕВОГО ОСАЖДЕНИЯ ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ СТРУКТУРЫ ЗАТВОРНОГО HKMG-СТЕКА С МИНИМАЛЬНЫМ ТОПОЛОГИЧЕСКИМ РАЗМЕРОМ 32 НМ, "Микроэлектроника"»

Авторы:
  • Руденко К.В.1
  • Мяконьких А.В.2
  • Рогожин А.Е.3
  • Гущин О. П.4
  • Гвоздев В.А.5
стр. 3-13
Платно
1 Физико-технологический институт РАН, Москва, 2 Физико-технологический институт РАН, Москва, 3 Физико-технологический институт Российской АН, Москва, Нахимовский пр-т, 34, 4 Научно- исследовательский институт молекулярной электроники (АО "НИИМЭ") 1, 5 Научно-исследовательский институт молекулярной электроники (НИИМЭ)
  • В выпуске: №1, 2018, Том 47
  • В журнале: Микроэлектроника
  • Издательство: ФГУП «Издательство «Наука»
  • Рубрика ГРНТИ: Информатика. Информационные и вычислительные системы
  • Год выхода: 2018
Аннотация:
Приведены результаты исследований плазменно-стимулированного атомно-слоевого осаждения (ALD) HkMG стека МДП нанотранзисторов, включающего слои подзатворного диэлектрика HfO2 (2-4 нм), ультратонкого металлического стабилизирующего слоя нитрида гафния HfN (1-3 нм), а также основного слоя металлического затвора нитрида тантала ТаN (10-20 нм), на пластинах кремния диаметром 200 мм. Методом спектральной эллипсометрии измерена равномерность толщины осаждённых пленок. Исследованы диэлектрическая проницаемость диэлектрика в стеке, токи утечки и его пробивные напряжения. При помощи четырехзондового метода исследовано удельное электросопротивление нитрида тантала, осажденного методом ALD. Изучены зависимости равномерности толщины пленок от параметров процесса ALD. Исследована зависимость удельного сопротивления металлического слоя TaN от состава и параметров разряда плазмы.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.