Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Влияние флуктуаций состава на излучательную рекомбинацию в узкозонных полупроводниковых твердых растворах, "Журнал технической физики"»

Авторы:
  • Шиляев А.В.1
  • Мынбаев К.Д.2
  • Баженов Н.Л.3
  • Грешнов А.А.4
стр. 419-426
Платно
1 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 2 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН; Университет ИТМО, 3 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 4 Физико-технический институт им. Иоффе РАН
Аннотация:
Экспериментально исследована фотолюминесценция эпитаксиальных структур на основе узкозонных твердых растворов CdHgTe и установлено наличие в структурах масштабных флуктуаций состава, локализующих носители заряда. Предложена модель, описывающая влияние флуктуаций на скорость излучательной рекомбинации, форму спектров люминесценции и положение их пика. Модель описывает транспорт и рекомбинацию носителей в условиях сильной неоднородности состава твердого раствора и показывает, как локализация носителей проявляется в особенностях спектров люминесценции.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.