Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Влияние обработки поверхности в BCl3 плазме на формирование омических контактов к структурам AlGaN/GaN, "Журнал технической физики"»

Авторы:
  • Андрианов Н.А.
  • Кобелев А.А.1
  • Смирнов А.С.
  • Барсуков Ю.В.2
  • Жуков Ю. М.3
стр. 413-418
Платно
1 Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 2 Санкт-Петербургский государственный университет, 3 С. Петербургский государственный университет
Аннотация:
Установлен режим обработки поверхности верхнего прикрывающего слоя GaN ( cap -слой) в AlGaN/GaN HEMT структурах плазмой BCl3, позволяющий существенно снижать сопротивление омических контактов на структурах полевых транзисторов на основе нитридов III группы. Достигнутый результат объясняется главным образом эффективным уменьшением потенциального барьера на поверхности GaN за счет образования вакансий азота (донорные центры) и соответственно за счет роста поверхностной концентрации электронов.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.