Статья «Влияние атомарных пучков кремния и германия на кинетику роста слоев Si1-x Gex в методе Si-GeH4 молекулярно-пучковой эпитаксии, "Журнал технической физики"»

Изучена стационарная кинетика роста слоев Si1-x Gex в одном из вариантов гибридного метода молекулярно-лучевой эпитаксии с источником молекулярного германа и сублимирующим бруском кремния. Показано, что в ростовой кинетике нельзя игнорировать ни процессы захвата эпитаксиальной поверхностью радикалов молекул гидридов, ни их последующий распад. Сопоставление экспериментальных данных с результатами кинетического анализа показало совпадение результатов модели с результатами проводимыхэкспериментов. При низких давлениях германа P GeH4 < 0.5 mTorr характер ростового процесса полностью определяется особенностями взаимодействия молекулярного пучка моногидрида Ge с ростовой поверхностью. Влияние атомарного пучка Ge c Si-источника начинает проявляться лишь при давлениях германавыше 1 mTorr. В этих условиях потоки атомов Ge и Si с сублимирующего источника Si выравниваются, а концентрация молекул гермила на поверхности достигает насыщения. Наблюдаемое увеличение параметра ?GeH3 связано с активирующим влиянием на распад молекул потока атомов кремния с сублимирующего источника.