Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Performance characteristics of p-channel FinFETs with varied Si-fin extension lengths for source and drain contacts, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Liaw Yue-Gie1
  • Liao Wen-Shiang2
  • Wang Mu-Chun3
  • Chen Chii-Wen4
  • Li Deshi5
  • Gu Haoshuang6
  • Zou Xuecheng7
стр. 1706-1710
Платно
1 Huazhong University of Science and Technology, 2 Wuhan University; Hubei University, 3 Ming Hsin University of Science and Technology, 4 Ming Hsin University of Science and Technology, 5 Wuhan University, 6 Hubei University, 7 Huazhong University of Science and Technology
Аннотация:
The length of Source/Drain (S/D) extension (Le) of nano-node p-channel FinFETs (pFinFETs) on SOI wafer influencing the device performance is exposed, especially in drive current and gate/S/D leakage. In observation, the longer L pFinFET provides a larger series resistance and degrades the drive current (I), but the isolation capability between the S/D contacts and the gate electrode is increased. The shorter L plus the shorter channel length demonstrates a higher trans-conductance (G) contributing to a higher drive current. Moreover, the subthreshold swing (S.S.) at longer channel length and longer L represents a higher value indicating the higher amount of the interface states which possibly deteriorate the channel mobility causing the lower drive current.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.