Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Single electron transistor: energy-level broadening effect and thermionic contribution, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Nasri A.1
  • Boubaker A.2
  • Khaldi W.3
  • Hafsi B.4
  • Kalboussi A.5
стр. 1711-1715
Платно
1 University of Monastir, Microelectronics and Instrumentation laboratory, 2 University of Monastir, Microelectronics and Instrumentation laboratory, 3 University of Monastir, Microelectronics and Instrumentation laboratory, 4 CNRS, Centrale Lille, ISEN, Univ. Valenciennes, 5 University of Monastir, Microelectronics and Instrumentation laboratory
Аннотация:
In this paper, a theoretical study of single electron transistor (SET) based on silicon quantum dot (Si-QD) has been studied. We have used a novel approach based on the orthodox theory. We studied the energy-level broadening effect on the performance of the SET, where the tunnel resistance depends on the discrete energy. We have investigated the I-V curves, taking into account the effects of the energy-level broadening, temperature and bias voltage. The presence of Coulomb blockade phenomena and its role to obtain the negative differential resistance (NDR) have been also outlined.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.