Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Усиление терагерцового излучения в плазмонной п-1 - р-1 -структуре на основе графена с инжекцией носителей заряда, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Полищук О.В.1
  • Фатеев Д.В.2
  • Попов В. В.3
стр. 1514-1519
Платно
1 Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук, 2 Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук, 3 Институт проблем экологии и эволюции им. А.Н.Северцова РАН
Аннотация:
Еоретически исследован спектр поглощения/усиления терагерцового излучения в неоднородном графене (n-i-p-i -структура) с периодической двойной металлической решеткой. Показано, что усиление терагерцового излучения на частоте плазмонного резонанса резко возрастает, когда потери за счет электронного рассеяния и потери на излучение уравновешиваются плазмонным усилением (связанным со стимулированной излучательной межзонной рекомбинацией электронно-дырочных пар в инвертированной области графена).

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.