Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Применение спектроскопии фотолюминесценции для исследования поперечного скола многослойных гетероструктур, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Планкина С.М.1
  • Вихрова О.В.2
  • Звонков Б.Н.3
  • Нежданов А.В.4
  • Пашенькин И.Ю.5
стр. 1510-1513
Платно
1 Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 2 Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета имени Н.И. Лобачевского, 3 Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета имени Н.И. Лобачевского, 4 Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 678076 Нижний Новгород, Россия, 5 Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского
Аннотация:
Показана возможность комплексного применения фотолюминесценции и спектроскопии комбинационного рассеяния в режиме латерального сканирования поперечных сколов гетероструктур для контроля распределения напряжений, определения толщины эпитаксиальных слоев и состава твердых растворов. Указанным способом исследованы свойства лазерной гетероструктуры с квантовыми ямами InGaAs/GaAsP. Продемонстрирована возможность дифференцированно регистрировать фотолюминесцентное излучение от различных слоев структуры. Установлено, что определение состава твердого раствора In Ga _P по частотному положению InP-подобной моды и по энергии фотолюминесценции дает близкие значения.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.