Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Деградация характеристик биполярных транзисторов на основе GaЛs с тонкой базой при возникновении в них нанометровых кластеров радиационных дефектов под действием нейтронного облучения, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Забавичев И. Ю.1
  • Потехин А.А.2
  • Пузанов А.С.3
  • Оболенский С. В.4
  • Козлов В.А.5
стр. 1520-1524
Платно
1 Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского Россия, 2 Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 3 Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 4 Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского Россия, 5 ФГНУ «Научно-исследовательский институт фундаментальной и клинической иммунологии»
Аннотация:
Проведен расчет протекания носителей заряда в структуре биполярного транзистора на основе GaAs с тонкой базой при возникновении в его рабочей области одиночного кластера радиационных дефектов. Показано, что место зарождения кластера радиационных дефектов существенным образом влияет на степень деградации коэффициента усиления биполярного транзистора. Получена вероятностная оценка радиационно- индуцированного прокола базы в зависимости от ее толщины и флюенса нейтронов.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.