Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Транспорт горячих носителей заряда в Si, GaAs, InGaAs и GaN субмикронных полупроводниковых структурах с нанометровыми кластерами радиационных дефектов, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Забавичев И. Ю.1
  • Оболенская Е.С.2
  • Потехин А.А.3
  • Пузанов А.С.4
  • Оболенский С. В.5
  • Козлов В.А.6
стр. 1489-1492
Платно
1 Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского Россия, 2 Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 3 Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 4 Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 5 Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского Россия, 6 ФГНУ «Научно-исследовательский институт фундаментальной и клинической иммунологии»
Аннотация:
Проведен расчет распределений радиусов и расстояний между ядрами субкластеров радиационных дефектов в Si, GaAs и GaN. Обсуждаются особенности транспорта горячих носителей заряда в облученных нейтронами материалах. Впервые рассчитан всплеск скорости электронов в Si, GaAs, InGaAs и GaN до и после радиационного воздействия и проведено сравнение силы проявления указанного эффекта в различных полупроводниковых материалах.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.