Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Оптимизация параметров сверхрешетки для диодов терагерцового диапазона частот, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Павельев Д.Г.1
  • Васильев А. П.2
  • Козлов В.Д.3
  • Оболенская Е.С.4
  • Оболенский С. В.5
  • Устинов В. М.6
стр. 1493-1497
Платно
1 Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 2 Физико-технический институт им. Иоффе РАН, 3 Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского; Институт физики микроструктур Российской академии наук, 4 Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 5 Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского Россия, 6 Физико-технический институт им. Иоффе РАН
Аннотация:
Ранее для изготовления смесительных диодов нами применялись GaAs/AlAs сверхрешетки с малой площадью активной области (~ 1мкм), и была установлена возможность их эффективного применения в терагерцовом диапазоне частот. Теоретически и экспериментально было показано, что на частотах до 5.3 ТГц малопериодные (содержащие небольшое число периодов) сверхрешетки в составе гармонических смесителей проявляют существенные преимущества по сравнению с многопериодными, т. е. содержащими 50-100 и больше периодов. В данной работе проведена оптимизация конструкции сверхрешеток и показано, что эффективность работы малопериодных сверхрешеток во многом определяется переходными областями, расположенными на ее краях.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.