Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Молекулярно-пучковая эпитаксия структур InGaAs/InAlAs/ AlAs для гетеробарьерных варакторов, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Малеев Н.А.1
  • Беляков В.А.2
  • Васильев А. П.3
  • Бобров М.А.4
  • Блохин С.А.5
  • Кулагина М.М.6
  • Кузьменков А.Г.7
  • Неведомский В.Н.8
  • Гусева Ю.А.9
  • Малеев С.Н.10
  • Ладенков И.В.11
  • Фефелова Е.Л.12
  • Фефелов А.Г.13
  • Устинов В. М.14
стр. 1484-1488
Платно
1 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН; Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет ,ЛЭТИ“, 2 Научно-производственное предприятие “Салют”, 3 Физико-технический институт им. Иоффе РАН, 4 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 5 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 6 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 7 Всероссийский научно-исследовательский институт радиологии и агроэкологии, Обнинск, 8 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской Академии наук, Санкт-Петербург, 9 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 10 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 11 Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 12 ОАО «НПП „Салют"», 13 Научно-производственное предприятие “Салют”, 14 Физико-технический институт им. Иоффе РАН
Аннотация:
Представлены результаты исследований по оптимизации технологии молекулярно-пучковой эпитаксии структур InGaAs/InAlAs/AlAs для гетеробарьерных варакторов. Выбор температуры держателя подложки, скорости роста и соотношения потоков элементов III и Vгрупп при синтезе отдельных областей гетероструктуры, толщина AlAs-вставок и качество границ барьерных слоев являются критическими параметрами для получения оптимальных характеристик гетеробарьерных варакторов. Предложенная конструкция трехбарьерных структур гетеробарьерных варакторов с непосредственно примыкающими к гетеробарьеру InAlAs/AlAs/InAlAs тонкими напряженными слоями InGaAs, рассогласованными относительно постоянной решетки подложки InP, при толщине AlAs-вставок 2.5 нм обеспечивает плотность тока утечки на уровне лучших опубликованных значений для структур гетеробарьерных варакторов с 12барьерами и толщиной вставок 3 нм.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.