Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Неоднородное распределение легирующей примеси в AB нитевидных нанокристаллах, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Лещенко Е.Д.1
  • Дубровский В.Г.2
стр. 1480-1483
Платно
1 Санкт-Петербургский академический университет; Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики, 2 Санкт-Петербургский академический университет Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
  • SDI: 007.001.0015-3222.2017.051.011.8
Аннотация:
We present a theoretical study of the dopant spatial distribution in AB nanowires grown by molecular beam epitaxy. The evolution of the dopant concentration is obtained by solving the non-stationary diffusion equation. Within the model, it is shown why and how the dopant inhomogeneity appears, as observed experimentally in the case of Be doping of GaAs nanowires and in other material systems.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.