Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Бесконтактная характеризация дельта-слоев марганца и углерода в арсениде галлия, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Комков О.С.1
  • Кудрин А.В.2
стр. 1473-1479
Платно
1 Санкт-Петербургский электротехнический университет «ЛЭТИ», 2 Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета имени Н.И. Лобачевского
Аннотация:
Метод спектроскопии фотоотражения применен для диагностики одиночных дельта-слоев марганца и углерода в нелегированном GaAs. Показано, что определяемая этим методом напряженность встроенных электрических полей растет с увеличением слоевой концентрации введенных примесей и хорошо коррелирует с технологическими данными и результатами, полученными методом Холла. Фазочувствительное фотоотражение позволило независимо измерить приповерхностное поле и поле, обусловленное дельта-легированием. Это дает возможность бесконтактно определять долю электрически активной примеси Mn и выявлять вклад 5-слоев углерода в гетеросистемы на основе GaAs.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.