Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Особенности селективного легирования марганцем GaAs структур, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Калентьева И.Л.1
  • Вихрова О.В.2
  • Данилов Ю.А.3
  • Звонков Б.Н.4
  • Кудрин А.В.5
  • Дорохин М.В.6
  • Павлов Д.А.7
  • Антонов И.Н.8
  • Дроздов М.Н.9
  • Усов Ю.В.10
стр. 1468-1472
Платно
1 Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета имени Н.И. Лобачевского, 2 Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета имени Н.И. Лобачевского, 3 Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета имени Н.И. Лобачевского, 4 Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета имени Н.И. Лобачевского, 5 Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета имени Н.И. Лобачевского, 6 Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета имени Н.И. Лобачевского, 7 Московский государственный университет, 8 Нижегородский физико-технический институт ННГУ, 9 Учреждение Российской академии наук Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород, 10 Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского
Аннотация:
Исследовано влияние технологических параметров на селективное легирование марганцем арсенидгаллиевых гетероструктур, изготавливаемых сочетанием методов МОС-гидридной эпитаксии и импульсного лазерного нанесения. В качестве этих параметров использованы: содержание примеси в 5-слое марганца и температура формирования структуры. Установлено, что при температуре выращивания ~ 400° C и содержании примеси не более 0.2-0.3 монослоя изготовленные структуры демонстрируют наибольшую электрическую активность и обладают ферромагнитными свойствами. Изучение выращенных структур методами спектроскопии отражения, высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии и вторичной ионной масс-спектрометрии показало, что применение указанных выше условий при импульсном лазерном нанесении позволяет получать арсенид-галлиевые структуры, которые имеют хорошее кристаллическое качество, а марганец в таких структурах сосредоточен в тонком (7-8нм) слое без существенного диффузионного размытия и сегрегации.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.