Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Влияние электрического поля на соотношение параметров Рашба и Дрессельхауза в гетероструктурах АB, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Дегтярев В.Е.1
  • Хазанова С.В.2
  • Konakov A. A.3
стр. 1462-1467
Платно
1 Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 2 Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 3 Department of Physics, Lobachevsky National Research State University of Nizhni Novgorod
Аннотация:
С помощью 8-зонной модели Кейна и конечно-разностной схемы с дискретизацией в координатном пространстве численно выполнены расчеты энергий подзон размерного квантования и огибающих волновых функций для квантовых ям [001] на основе полупроводников АB со структурой цинковой обманки. Исследовано влияние зонных параметров квантовой ямы, а также величины внешнего электрического поля, ориентированного вдоль направления роста структуры, на соотношение параметров спин-орбитального взаимодействия Рашба и Дрессельхауза. Показано, что в структурах GaAs/InGaAs при определенных значениях электрического поля возможно равенство параметров спин-орбитального взаимодействия, что является условием формирования устойчивых спиновых „хеликсов“. Установлено также, что в симметричных ямах GaAs/InGaAs при определенных ширинах ям и химическом составе барьеров может исчезать линейное по волновому вектору спин-орбитальное взаимодействие.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.