Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Емкостная спектроскопия дырочных ловушек в высокоомных структурах арсенида галлия, выращенных жидкофазным методом, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Мурель А.В.1
  • Шмагин В.Б.2
  • Крюков В.Л.3
  • Стрельченко С.С.4
  • Суровегина Е.А.5
  • Шашкин В.И.6
стр. 1538-1542
Платно
1 Институт физики микроструктур Российской академии наук, 2 Институт физики микроструктур РАН, 3 ООО „МеГа Эпитех“, 4 ООО „МеГа Эпитех“, 5 Институт физики микроструктур Российской академии наук, 6 Институт физики микроструктур РАН; Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского
Аннотация:
В выращенных методом жидкофазной эпитаксии GaAs-структурах с дырочным типом проводимости методами емкостной спектроскопии (адмиттанс-спектроскопии и нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней) обнаружены три глубоких акцепторных уровня с энергиями активации ~ 0.7, ~ 0.41 и ~ 0.16 эВ. Первые два уровня известны как HL2, HL5 и связываются с особенностями роста слоев GaAs методом жидкофазной эпитаксии. Они являются эффективными рекомбинационными центрами, определяющими обратные токи в p-i-n-диодах, что подтверждается изучением температурных зависимостей обратных токов. Уровень с энергией E + 0.16 эВ может быть связан с двухзарядным акцепторным уровнем собственного антиструктурного дефекта GaAs, который в однозарядном состоянии определяет уровень легирования структур.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.