Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Полупроводниковые структуры с одномерным квантовым каналом и планарными боковыми затворами, созданные методом импульсной силовой нанолитографии, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Борисов В.И.1
  • Кувшинова Н.А.2
  • Курочка С.П.3
  • Сизов В.Е.
  • Степушкин М.В.4
  • Темирязев А.Г.5
стр. 1534-1537
Платно
1 Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, 141190 Фрязино, Московская область, Россия, 2 Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук, 3 Национальный исследовательский технологический университет „МИСиС“, 4 Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук, 5 Фрязинский филиал Федерального государственного бюджетного учреждения науки Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук, Московская область
Аннотация:
Квазиодномерные полупроводниковые структуры с изменяемым продольным потенциальным рельефом созданы методом импульсной силовой нанолитографии, выполняемой с использованием атомно-силового микроскопа. Структуры изготавливались на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs с глубоким (130 нм от поверхности) залеганием двумерного электронного газа. Потенциальный профиль канала формировался с помощью секционированных планарных затворов, созданных по обеим сторонам канала. Электрические параметры полученных структур, измеренные при температурах до 1.5 K, подтвердили эффективность примененного метода для создания изолирующих областей с латеральными размерами ~ 10 нм.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.