Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Анализ параметров GaN-HEMT до и после гамма-нейтронного воздействия, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Тарасова Е. А.1
  • Оболенский С. В.2
  • Галкин О.Е.3
  • Хананова Д.Б.4
  • Макаров А.Б.5
стр. 1543-1546
Платно
1 Институт экспериментальной медицины, 2 Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского Россия, 3 Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 4 Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 5 Уральский государственный горный университет
Аннотация:
Предложен метод математической обработки результатов измерений вольт-фарадных характеристик HEMT AlGaN/GaN до и после у -нейтронного облучения с флюенсом 0.4 • Ю^м. Описаны результаты физико-топологического моделирования HEMT AlGaN/GaN на подложке SiC. Определена погрешность расчета параметров GaN-HEMT, обусловленная погрешностью вычисления профиля распределения электронов.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.