Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Моделирование методом сильной связи кремниевых и германиевых нанокристаллов, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Герт А.В.1
  • Нестоклон М.О.2
  • Прокофьев А.А.3
  • Яссиевич И.Н.4
стр. 1325-1340
Платно
1 Физико-технический институт им. Иоффе РАН, 2 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия, 3 Институт геохимии и аналитической химии им. В.И. Вернадского РАН ул. Косыгина, 19, Москва, 119991, Россия, 4 Физико-технический институт им. Иоффе РАН
Аннотация:
Обзор посвящен моделированию нанокристаллов Si и Ge методом сильной связи. Сначала приведeн краткий обзор методов моделирования и результатов, полученных для кремниевых и германиевых нанокристаллов. Затем подробно описан метод моделирования сильной связью в варианте с учeтом орбиталей s, p, d, s * и представлены результаты, полученные на его основе для нанокристаллов кремния и германия.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.