Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Эффекты локального фотовозбуждения носителей заряда высокой плотности в кремнии, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Мусаев А.М.1
стр. 1341-1345
Платно
1 Институт физики им. Х. И. Амирханова Дагестанского научного центра Российской академии наук
Аннотация:
Экспериментально исследованы явления при локальном импульсном фотовозбуждении собственных, неравновесных носителей заряда высокой концентрации в кремнии. Обнаружен эффект существенного роста времени жизни фотовозбужденных носителей заряда. Показано, что эффект существенного роста времени жизни носителей обусловлен изменением степени вырождения и смещением примесного рекомбинационного уровня к уровню Ферми, вызванных локальной термоупругой деформацией кристалла и соответствующим распределением концентрации неравновесных носителей заряда.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.