Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Анизотропные ян-теллеровские акцепторы, создаваемые в ОаАБ элементами первой группы с заполненной й-оболочкой, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Гуткин А.А.1
  • Аверкиев Н.С.2
стр. 1299-1324
Платно
1 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 2 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки “Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН”, Санкт-Петербург
Аннотация:
Приводится феноменологическая модель двойных акцепторов, создаваемых атомами Cu, Ag и Au в GaAs. Описаны экспериментально наблюдавшиеся явления, связанные с особенностями пространственного и электронного строения этих центров (подавление эффекта Яна-Теллера одноосным давлением, размягчение кристалла, рекомбинационно-стимулированная переориентация ян-теллеровских дисторсий центра, уменьшение стационарной степени выстраивания дисторсий центра при одноосном давлении с увеличением скорости рекомбинации через центр неравновесных электронно-дырочных пар, релаксационное поглощение ультразвука идр.).

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.