Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Двухчастотный GaAs/InGaP лазерный диод с квантовой ямой GaAsSb, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Дикарева Н.В.1
  • Звонков Б.Н.2
  • Вихрова О.В.3
  • Некоркин С.М.4
  • Алешкин В.Я.5
  • Дубинов А.А.6
стр. 1410-1413
Платно
1 Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Лобачевского,, 2 Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета имени Н.И. Лобачевского, 3 Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета имени Н.И. Лобачевского, 4 Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Лобачевского,, 5 Институт физики микроструктур РАН,, 6 Институт физики микроструктур РАН
Аннотация:
Представлены результаты исследования GaAsSb/GaAs/InGaP лазерной структуры, выращенной методом МОС-гидридной эпитаксии. Получена устойчивая двухполосная генерация, обусловленная прямыми и непрямыми в пространстве оптическими переходами. Наблюдение суммарной частоты продемонстрировало эффективное внутрирезонаторное смешение мод в полупроводниковых лазерах такого типа.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.