Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Деградация параметров транзисторных датчиков температуры под действием ионизирующего облучения, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Викулин И.М.1
  • Горбачев В.Э.2
  • Курмашев Ш.Д.3
стр. 1404-1409
Платно
1 Одесский национальный университет им. И.И. Мечникова Украина, 65026, Одесса, ул. Дворянская, 2, 2 Академия связи Украины, 3 Одесский национальный университет им. И.И. Мечникова Украина, 65026, Одесса, ул. Дворянская, 2
Аннотация:
Исследовано влияние эффективной концентрации задающей тип проводимости базовой области примеси и толщины базы на радиационную стойкость транзисторных термодатчиков. Получены зависимости прямого падения напряжения на эмиттерном переходе транзистора и коэффициента усиления по току от величины потоков электронов, нейтронов и у-квантов. Получено, что деградация прямого падения напряжения под воздействием ионизирующего облучения начинается при дозах почти на 2 порядка выше, чем коэффициента усиления по току, в зависимости от конструктивных особенностей транзистора. После отжига облученных потоком электронов структур наблюдается значительное улучшение воспроизводимости термочувствительного параметра, что повышает процент выхода годных приборов.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.