Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Диффузионно-контролируемый рост нанокристаллов Ge в пленках SiO в условиях ионного синтеза под высоким давлением, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Тысченко И.Е.1
  • Черков А.Г.2
стр. 1414-1419
Платно
1 Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, 2 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования “Новосибирский государственный университет”, Новосибирск
Аннотация:
Изучен рост нанокристаллов германия в пленках SiO в зависимости от дозы имплантированных ионов Ge+ и температуры отжига под давлением 12кбар. Установлено, что зависимость размеров нанокристаллов от концентрации атомов германия и от времени отжига описывается соответствующими корневыми функциями. Квадрат радиуса нанокристалла является экспоненциальной функцией обратной температуры. Полученные зависимости соответствуют модели диффузионно-контролируемого механизма роста нанокристаллов. По температурной зависимости размеров нанокристаллов определен коэффициент диффузии германия в SiO под давлением 12кбар: D = 1.1 • 10 exp(- 1.43/kT). Увеличение коэффициента диффузии Ge под давлением объяснено изменением активационного объема образования и миграции точечных дефектов. Получены данные в пользу межузельного механизма диффузии атомов германия к зародышам нанокристаллов в SiO.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.