Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «СУБТРАКТИВНЫЙ ПРОЦЕСС ФОРМИРОВАНИЯ СИСТЕМЫ МЕТАЛЛИЗАЦИИ»

Авторы:
  • Резванов А.А.1
  • Серегин Д.С.2
  • Гвоздев В.А.3
  • Вишневский А.С.4
  • Кузнецов П.И.5
  • Морозов Е.Н.6
  • Воротилов К.А.7
  • Горохов С.А.8
стр. 44-58
Платно
1 АО «НИИМЭ»; МФТИ (НИУ), 2 Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики, 3 Научно-исследовательский институт молекулярной электроники (НИИМЭ), 4 Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики, 5 Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН Россия, 141190, Фрязино Московской обл., пл. Введенского, 1, 6 НИИСИ РАН , 7 Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики, 8 АО «НИИМЭ»; МФТИ (НИУ)
Ключевые слова:
  • ЗАПОЛНЕНИЕ ЗАЗОРА МЕЖДУ ПРОВОДНИКАМИ
  • ПЛАНАРИЗАЦИЯ
  • ОРГАНОСИЛИКАТ
  • МЕТИЛ-МОДИФИЦИРОВАННЫЙ СИЛИКАТ
  • LOW-K ДИЭЛЕКТРИК
  • ХИМИЧЕСКОЕ ОСАЖДЕНИЕ ИЗ РАСТВОРА
  • ЦЕНТРИФУГИРОВАНИЕ
  • GAP-FILLING
  • PLANARIZATION
  • ORGANOSILICATE
  • METHYL-MODIFIED SILICATE
  • LOW-K DIELECTRIC
  • CHEMICAL SOLUTION DEPOSITION
  • SPIN-ON
Аннотация:
Исследован субтрактивный процесс создания системы металлизации интегральных схем. В качестве модельных использованы структуры с алюминиевыми и медными проводниками, имеющие различный шаг. Заполнение зазоров между проводниками проводилось методом химического осаждения из раствора. Сформированные органосиликатные слои обеспечивали полную или частичную планаризацию рельефа. Электрические измерения свидетельствовали о снижении ёмкости и токов утечек в структурах с нанопористыми диэлектрическими слоями.
Пожалуйста, авторизуйтесь, чтобы получить бесплатный доступ к статье.