Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «THE SUBTRACTIVE PROCESS OF FORMING A METALLIZATION SYSTEM.»

Авторы:
  • Резванов А.А.1
  • Серегин Д.С.2
  • Гвоздев В.А.3
  • Кузнецов П.И.4
  • Горохов С.А.5
  • Вишневский А.С.6
  • Морозов Е.Н.7
  • Воротилов К.А.8
стр. 59-72
Платно
1 АО «НИИМЭ»; МФТИ (НИУ), 2 Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики, 3 Научно-исследовательский институт молекулярной электроники (НИИМЭ), 4 Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН Россия, 141190, Фрязино Московской обл., пл. Введенского, 1, 5 АО «НИИМЭ»; МФТИ (НИУ), 6 Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики, 7 НИИСИ РАН , 8 Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики
Ключевые слова:
  • GAP-FILLING
  • PLANARIZATION
  • ORGANOSILICATE
  • METHYL-MODIFIED SILICATE
  • LOW-K DIELECTRIC
  • CHEMICAL SOLUTION DEPOSITION
  • SPIN-ON
Аннотация:
The subtractive process of forming a metallization system for integrated circuits has been studied. Structures with aluminum and copper conductors with different pitches were used as models. The gaps between the conductors were filled using the chemical solution deposition technique. The formed organosilicate layers provided complete or partial planarization of the relief. Electrical measurements indicated a decrease in capacitance and leakage currents in structures with nanoporous dielectric layers.
Пожалуйста, авторизуйтесь, чтобы получить бесплатный доступ к статье.