Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «A SURVEY OF NOISE FIGURE RESPONSE TO OPERATING MODES IN GAN HEMT TRANSISTORS.»

Авторы:
  • Чаплыгин Ю.А.1
  • Лосев В.В.2
  • Хлыбов А.И.3
  • Родионов Д.В.4
  • Котляров Е.Ю.5
  • Егоркин В.И.6
стр. 37-43
Платно
1 НИУ МИЭТ, 2 НИУ МИЭТ, 3 Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники", 4 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники», 5 АО «НИИМЭ»; НИУ «МИЭТ», 6 Национальный исследовательский университет “МИЭТ”, 124498, Москва, Россия
Ключевые слова:
  • NOISE FIGURE
  • NF
  • NOISE FIGURE MINIMUM
  • NFMIN
  • Y-FACTOR
  • EXCESS NOISERATIO
  • ENR
  • GAN HEMT
  • S-PARAMETERS
  • TIME-DOMAIN REFLECTOMETRY
Аннотация:
This paper contain experimental results for GaN HEMT noise figure and gain as functions of operating mode for L-band (1-2 GHz). It was pointed that minimum noise figure values (less than 1 dB) was measured for 2.5-5.5 V drain voltage and density current 40-80 mA/mm. Minimum noise figure (NFmin) was less than 0.G5 dB.
Пожалуйста, авторизуйтесь, чтобы получить бесплатный доступ к статье.