Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «ИССЛЕДОВАНИЯ ЗАВИСИМОСТИ КОЭФФИЦИЕНТА ШУМА GAN HEMT ТРАНЗИСТОРОВ ОТ РЕЖИМОВ РАБОТЫ»

Авторы:
  • Чаплыгин Ю.А.1
  • Лосев В.В.2
  • Хлыбов А.И.3
  • Родионов Д.В.4
  • Котляров Е.Ю.5
  • Егоркин В.И.6
стр. 29-36
Платно
1 Национальный исследовательский университет “МИЭТ”, Москва, 2 НИУ МИЭТ, 3 Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники", 4 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники», 5 АО «НИИМЭ»; НИУ МИЭТ, 6 Национальный исследовательский университет “МИЭТ”, 124498, Москва, Россия
Ключевые слова:
  • КОЭФФИЦИЕНТ ШУМА
  • МИНИМАЛЬНЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ ШУМА
  • Y-ФАКТОР
  • ИЗБЫТОЧНЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ ШУМА
  • S-ПАРАМЕТРЫ
  • ВРЕМЯ-ИМПУЛЬСНАЯ РЕФЛЕКТОМЕТРИЯ
  • NOISE FIGURE
  • NF
  • NOISE FIGURE MINIMUM
  • NFMIN
  • Y-FACTOR
  • EXCESS NOISERATIO
  • ENR
  • GAN HEMT
  • S-PARAMETERS
  • TIME-DOMAIN REFLECTOMETRY
Аннотация:
В статье приведены результаты исследований зависимостей коэффициента шума и коэффициента усиления GaN HEMT транзисторов от режимов работы в L-диапазоне частот (1…2 ГГц). Отмечено, что минимальные измеренные значения коэффициента шума (менее 1,0 дБ) находятся в диапазоне напряжений на стоке 2,5…5,5 В и плотностей тока стока 40…80 мА/мм. Минимальный коэффициент шума (NFmin) имеет значение не более 0,G5 дБ.
Пожалуйста, авторизуйтесь, чтобы получить бесплатный доступ к статье.