Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «ХАРАКТЕР ДЕГРАДАЦИИ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ОТКЛИКА ЭЛЕМЕНТА ХРАНЕНИЯ FeRAM НА ОСНОВЕ ТОНКИХ СЛОЕВ ДИОКСИДА ГАФНИЯ, "Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника"»

Авторы:
  • Итальянцев А.Г.1
  • Захаров П.С.2
  • Нагнойный В.А.3
  • Скворцов Е.Б.4
  • Шульга Ю.В.5
стр. 18-23
Платно
1 АО «НИИМЭ», 2 АО «НИИМЭ», 3 АО «НИИМЭ», 4 АО «НИИМЭ», 5 АО «НИИМЭ»
Аннотация:
Рассмотрены механизмы деградации характеристик элементов хранения сегнетоэлектрической памяти на основе тонких слоев тройных соединений на базе диоксида гафния HfO. К таким механизмам относятся накопление у отрицательно заряженной поверхности сегнетоэлектрика паразитных положительных зарядов, не связанных с поляризацией, а также перераспределение доменов по их подвижности за время выдержки элементов хранения при повышенных температурах. На основе модельных представлений и экспериментальных данных рассмотрена динамика изменения электрического отклика в цепи элемента хранения в состоянии логической «1» при его чтении, в том числе после длительной выдержки при повышенных температурах.
Пожалуйста, авторизуйтесь, чтобы получить бесплатный доступ к статье.