Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «АНАЛИЗ ПРИБОРНЫХ ТРЕБОВАНИЙ К ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫМ СТРУКТУРАМ AlGaN/GaN НА Si ДЛЯ СИЛОВОЙ И СВЧ ЭКБ, "Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника"»

Авторы:
  • Баранов Г.В.1
  • Беляев А.О.2
  • Дорофеев А.А.3
  • Леоненков Е.И.4
  • Панасенко П.В.5
  • Ромодин М.С.6
стр. 5-17
Платно
1 АО «НИИМЭ»; ООО «НИИМЭ-МД»; НИУ «МФТИ», 2 АО «НИИМЭ»; НИТУ «МИСИС», 3 АО «НИИМЭ»; ООО «НИИМЭ-МД», 4 АО «НИИМЭ»; ООО «НИИМЭ-МД», 5 АО «НИИМЭ», 6 НИУ «МФТИ»
Аннотация:
Проведен системный анализ требований, предъявляемых к гетероэпитаксиальным структурам AlGaN/GaN на Si-подложке, для реализации на их основе силовой и СВЧ ЭКБ по HEMT технологии: требования к структуре гетероперехода AlGaN/GaN, пассивирующему слою, конструкции буферного слоя и проводимости кремниевой подложки.
Пожалуйста, авторизуйтесь, чтобы получить бесплатный доступ к статье.