Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ПОРИСТЫХ МАТЕРИАЛОВ В КАЧЕСТВЕ БУФЕРНОГО СЛОЯ В МЕМРИСТОРНЫХ СТРУКТУРАХ, "Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника"»

Авторы:
  • Резванов А.А.1
  • Ганыкина Е.А.2
  • Орлов А.А.3
  • Горохов С.А.4
  • Зюзин С.С.5
стр. 69-86
Платно
1 АО «НИИМЭ»; МФТИ (НИУ), 2 АО «НИИМЭ»; МФТИ (НИУ), 3 МФТИ (НИУ), 4 АО «НИИМЭ»; МФТИ (НИУ), 5 АО «НИИМЭ»; МФТИ (НИУ)
Аннотация:
Обзорная статья посвящена мемристорным структурам с пористыми материалами в качестве буферного слоя. Использование дополнительного пористого материала к основному переключающему слою позволяет уменьшить разброс рабочих параметров мемристора, увеличить количество циклов переключения и стабильность высокоомных и низкоомных состояний.
Пожалуйста, авторизуйтесь, чтобы получить бесплатный доступ к статье.