Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Встраиваемый в технологию процесс CVD-роста УНТ с использованием каталитических тонких пленок Ct–Me–N–O, "Микроэлектроника"»

Авторы:
  • Громов Д. Г.
  • Булярский С. В.
  • Дубков С. В.
  • Павлов А. А.
  • Скорик С. Н.
  • Трифонов А. Ю.
  • Шулятьев А. С.
  • Шаман Ю. П.
  • Кицюк Е. П.
  • Дудин А. А.
  • Сиротина А. П.
  • Гаврилов С. А.
стр. 83-90
Платно
  • В выпуске: №2, 2017, Том 46
  • В журнале: Микроэлектроника
  • Издательство: ФГУП «Издательство «Наука»
  • Рубрика ГРНТИ: Информатика. Информационные и вычислительные системы
  • Год выхода: 2017
Аннотация:
Исследован процесс формирования массивов углеродных нанотрубок на каталитических сплавах Ct–Me–N с низким содержанием никеля (10–20 ат. %) методом химического осаждения из газовой фазы, где Ct – каталитический металл из группы Ni, Co, Fe, Pd; Me – переходный металл IV–VII группы Периодической таблицы элементов. Показано, что УНТ эффективно растут, если сплав содержит Ti, V, Cr, Zr, Hf, Nb, Ta. Добавление азота и кислорода в состав сплава способствует образованию оксинитридов, выдавливанию катализатора и образованию его кластеров на поверхности. Замена металлов в сплаве влияет на диаметр УНТ. При этом для роста УНТ могут использоваться пленки сплава различной толщины (10–500 нм), что обуславливает хорошую однородность и воспроизводимость процесса. Рост УНТ не наблюдался, если сплав содержал W, Re.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.