Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «ИМПЛАНТАЦИЯ ПРОТОНОВ В ПЛАСТИНЫ КРЕМНИЯ В УСЛОВИЯХ МЕХАНИЧЕСКИ НАПРЯЖЕННОГО ПОВЕРХНОСТНОГО СЛОЯ, "Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования"»

Авторы:
  • Дьячкова И.Г.1
  • Новоселова Е.Г.2
  • Смирнов И.С.3
стр. 108-114
Платно
1 Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН, 2 Институт биофизики клетки РАН, 3 Зоологический институт РАН, 199034 Санкт-Петербург, Университетская наб., 1
Ключевые слова:
  • имплантация
  • дефекты
  • поверхность кристалла
  • напряженно-деформированное состояние
  • рентгеновская секционная топография Ланга
  • рентгеновская дифракция
  • уравнение Такаги-Топэна
  • implantation
  • defects
  • crystal surface
  • stress-strain state
  • Lang X-ray sectional topography
  • X-ray diffraction
  • Takagi-Taupin equation
Аннотация:
Изучено влияние механических напряжений разных знаков на процессы радиационного дефектообразования в кристаллическом кремнии. Исследовано влияние деформации на процесс накопления радиационных дефектов в кремнии марки КЭФ-4.5 после имплантации протонов с энергией 140 и 500 кэВ и дозой 2.5 ? 1015 см-2. Проведен расчет напряженно-деформированного состояния тонкой круговой пластинки, поверхностный слой которой подвергается физическому воздействию. Показано, что приложенные механические напряжения в основном влияют на толщину нарушенного слоя. С ростом сжимающих напряжений у поверхности толщина поврежденного слоя уменьшается по сравнению с толщиной слоя в недеформированном образце и увеличивается в обратном случае.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.