Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «CИНТЕЗ И СВОЙСТВА ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЕНОК (HfO2)1x(Sc2O3)x, "Неорганические материалы"»

Авторы:
  • Яковкина Л.В.1
  • Смирнова Т.П.2
  • Борисов В.О.3
  • Кичай В.Н.4
  • Каичев В.В.5
стр. 165-
Платно
1 Институт неорганической химии СО Российской академии наук, Новосибирск, 2 Институт неорганической химии СО Российской академии наук, Новосибирск, 3 Институт неорганической химии СО Российской академии наук, Новосибирск, 4 Институт неорганической химии СО Российской академии наук, Новосибирск, 5 Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН, Новосибирск
Аннотация:
Пленки (HfO2)1 - x(Sc2O3)x получены методом химического осаждения из газовой фазы (CVD) с использованием в качестве исходных веществ летучих комплексных соединений: 2,2,6,6-тетраметил-3,5-гептандионат гафния (Hf(thd)4) и 2,2,6,6-тетраметил-3,5-гептандионат скандия (Sc(thd)3). Исследованы состав и структура пленок с концентрацией Sc от 1 до 36 ат. %. Установлено, что в области концентраций Sc от 9 до 14 ат. % формируются трехкомпонентные нанокристаллические пленки, не известной ранее для этой системы орторомбической модификации. На тестовых структурах Al/(HfO2)1 - x(Sc2O3)x/Si определены значения диэлектрической проницаемости и ток утечки через диэлектрик для пленок с различной концентрацией скандия. Установлено, что для пленок c орторомбической структурой значение диэлектрической проницаемости достигает величины k = 42?44, при этом ток утечки не превышает значения J = 10-8 A/см2.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.