Статья «СТРУКТУРА, ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ И ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКА-РЕЛАКСОРА SBN-75, "Наука Юга России"»

В работе представлены результаты исследования структуры и диэлектрических свойств керамики и тонких пленок сегнетоэлектрика-релаксора SrBaNbO (SBN-75) со структурой незаполненной тетрагональной вольфрамовой бронзы. Тонкие пленки SBN-75 на монокристаллических подложках MgO(001) были синтезированы одностадийным методом высокочастотного катодного распыления керамической мишени стехиометрического состава SrBaNbO. На основе анализа темпе-ратурно-частотных зависимостей относительной диэлектрической проницаемости е'/е и тангенса угла диэлектрических потерь tg5 в интервале температур 20-800 К и частот измерительного электрического поля в диапазоне 10-10 Гц установлены температурная область сегнето-параэлектрического фазового перехода, температуры Бёрнса (T = 520 K) и Фогеля - Фулчера (T = 280 K) в керамике SBN-75. Высказано предположение о связи низкотемпературных аномалий (при T < 150 K) на кривых е'/е(Т) и tg5(T) с сегнетоэлектрическим фазовым переходом. При рентгендифракционном анализе установлено, что пленка SBN-75/MgO получена однофазной и эпитаксиальной. Выявлено существование ориентацион-ных доменов в пленке SBN-75 с поворотом в плоскости сопряжения только на углы ±18,4° относительно осей подложки MgO. Определены в рамках тетрагонального приближения параметры элементарной ячейки пленки (с = 3,948 А и а = 12,49 А) и ее деформация в сравнении с параметрами ячейки объемного (керамического) образца.