Статья «Сегнетоэлектрические свойства многослойных тонких пленок титаната бария стронция и слоистого титаната висмута для использования в сегнетоэлектрической энергонезависимой памяти, "Наука Юга России"»

Одной из важнейших концепций использования сегнетоэлектрических гетерострук-тур в микроэлектронике является энергонезависимая память (FeRAM), где в качестве подзатворного диэлектрика в полевом транзисторе используется сегнетоэлектрическая пленка. Слоистые висмутсодержащие структуры, такие как BiTiO, могут быть хорошим новым материалом для FeRAM, так как их объемное значение спонтанной поляризации составляет около 60 мкК/см. В работе приведены результаты получения и исследования тонких пленок BiTiO с различной ориентацией кристаллитов относительно плоскости подложки (100)Si с использованием в качестве подслоя BaSrTiO. Установлено, что в зависимости от условий роста в гетероструктуре реализуются две преимущественные ориентации пленки относительно подложки. В эпитаксиальной пленке присутствуют только кристаллиты, у которых ось с перпендикулярна плоскости подложки. Вертикальная разориентировка, определенная по ширине на половине высоты кривой качания отражения (008), составляет примерно 5°. Значение параметра элементарной ячейки по нормали к подложке c = 3,280 нм, которое меньше, чем у объемного образца. Во втором типе пленок, которые имеют различную ориентацию кристаллитов относительно плоскости подложки, угол между осью a ячейки BiTiO и нормалью к плоскости подложки составляет ~7° для (111)-ориентации, ~37,3° для (117)-ориентации, 0° для (100)-ориентации и ~45° для (110)-ори-ентации. В кристаллитах с вышеуказанными ориентациями присутствует отличная от нуля компонента поляризации вдоль нормали к подложке. Установлено, что в эпитаксиальных пленках возникают двумерные напряжения растяжения в плоскости подложки, которые приводят к моноклинному искажению элементарной ячейки BiTiO и существенному изменению колебаний КРС-мод связанных Ti+- и TiOg-октаэдров.