Статья «Моделирование распределения потенциала в неоднородно легированной рабочей области двух затворного КНИ КМОП нанотранзистора, "Микроэлектроника"»

Обсуждается один из возможных подходов к аналитическому решению 2D-уравнения Пуассона для потенциала в рабочей области двух затворного КМОП нанотранзистора со структурой “кремний на изоляторе” с неоднородно легированной рабочей областью в виде функции Гаусса. На основе численных решений уравнения Пуассона анализируются зависимости от параметров профиля легирования ряда основных электрофизических характеристик, таких как распределение потенциала в рабочей области, порогового напряжения и подпорогового тока при разных технологических параметрах. Для выбранных топологических норм оптимизация параметров профиля легирования предоставляет дополнительную возможность управления ключевыми характеристиками наряду с толщиной рабочей области и толщиной подзатворного окисла фронтального затвора, что важно при анализе применимости нанотранзисторных структур. Рассматриваются физические ограничения для оптимизации электрофизических характеристик, в частности, эффективного подавления коротко-канальных эффектов. Результаты моделирования находятся в хорошем соответствии с данными моделирования, полученными при помощи коммерчески доступного для 2D моделирования транзисторных структур программного пакета ATLAS .