Статья «Газофазное травление слоев SiO в смеси HF/CHOH, "Микроэлектроника"»

Рассмотрен способ сухого травления слоев SiO при формировании МЭМС структур, не приводящий к залипанию подвижных элементов. Травление жертвенного SiO в плавиковой кислоте (HF), находящейся в газовой фазе (ангидрид HF), позволяет исключить последующие сложные процессы промывки и сушки необходимые при использовании жидкостных методов травления. Использование безводной смеси HF/CHOH при низком давлении решает проблемы конденсации воды, образующаяся при травлении в парах HF, и позволяет применять газофазное травление в поверхностных МЭМС технологиях. Показаны механизмы и физико-химические процессы, протекающие при травлении термического SiO. Исследована зависимость скорости травления пленок термического SiO при температурах от 30 до 50°С и давлении в камере реактора от 10 до 20 кПа.