Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ЭЛЕМЕНТОВ ПАМЯТИ НА САМОФОРМИРУЮЩИХСЯ ПРОВОДЯЩИХ НАНОСТРУКТУРАХ В ВИДЕ ОТКРЫТОЙ “СЭНДВИЧ”-СТРУКТУРЫ TiN SiO2 W, "Микроэлектроника"»

Авторы:
  • Мордвинцев В.М.1
  • Кудрявцев С.Е.2
стр. 93-
Платно
1 Ярославский филиал Физико-технологического института Российской АН, 2 Ярославский филиал Физико-технологического института Российской АН
  • В выпуске: №2, 2013, Том 42
  • В журнале: Микроэлектроника
  • Издательство: ФГУП «Издательство «Наука»
  • Рубрика ГРНТИ: Информатика. Информационные и вычислительные системы
  • Год выхода: 2013
Аннотация:
Приведены результаты экспериментальных исследований процесса электроформовки и квазистатических вольтамперных характеристик (ВАХ) отформованных открытых “сэндвич”-структур TiN SiO2 W в сравнении со структурами Si SiO2 W. Показано, что в них наблюдаются аналогичные эффекты памяти и переключения, связанные с процессом самоформирования проводящих наноструктур на поверхности открытого торца диэлектрической пленки (диоксида кремния) толщиной около 20 нм. В то же время, особенностями структур с нижним электродом из нитрида титана являются заметно большие значения тока, на 0.7 В меньшее значение порогового напряжения переключения из низко- в высокопроводящее состояние и более пологая форма ВАХ при напряжениях меньших порогового. Отмеченные особенности могут быть объяснены уменьшением сопротивлением растекания от образующейся при электроформовке проводящей наноструктуры в материал нижнего электрода для нитрида титана по сравнению с кремнием (их удельные сопротивления отличаются в четыре раза) и меньшей высотой потенциального барьера на границе раздела TiN SiO2 по сравнению с Si SiO2. Элемент энергонезависимой электрически перепрограммируемой памяти со структурой TiN SiO2 W обладает лучшими техническими характеристиками и технологичностью.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.  

 

* - цена актуальна только для физических лиц
В т.ч. НДС 20%