Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОЕ ИМПУЛЬСНОЕ ГАЗОФАЗНОЕ ОСАЖДЕНИЕ ТОНКИХ СЛОЕВ МЕТАЛЛИЧЕСКОГО РУТЕНИЯ ДЛЯ МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКИ. ЧАСТЬ 6. СОСТАВ СЛОЕВ РУТЕНИЯ, "Микроэлектроника"»

Авторы:
  • Васильев В.Ю.1
стр. 62-
Платно
1 Новосибирский Государственный Технический Университет, кафедра Полупроводниковых приборов и микроэлектроники (ППиМЭ)
  • В выпуске: №1, 2013, Том 42
  • В журнале: Микроэлектроника
  • Издательство: ФГУП «Издательство «Наука»
  • Рубрика ГРНТИ: Информатика. Информационные и вычислительные системы
  • Год выхода: 2013
Аннотация:
Проанализирован состав тонких слоев рутения, синтезированных при импульсном осаждении из газовой фазы с участием комплексного карбонил-диенового прекурсора Ru(CO)<sub>3</sub>(C<sub>6</sub>H<sub>8</sub>), а также NH<sub>3</sub>, N<sub>2</sub>O, H<sub>2</sub> в качестве второго реагента. Сформулированы схемы процессов роста низкотемпературных слоев рутения, объясняющие роль вторых реагентов в ходе процессов осаждения.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.