Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «ЭЛЕКТРОМАГНИТНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ, ТЕХНОЛОГИЯ И?ИЗГОТОВЛЕНИЕ СВЧ С3МОSНFЕТ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЕЙ НА АLGАN/GАN ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ, "Микроэлектроника"»

Авторы:
  • Адонин А. С.1
  • Евграфов А. Ю.2
  • Миннебаев В. М.3
  • Иващенко Н. Г.4
  • Мяконьких А.В.5
  • Рогожин А.Е.6
  • Руденко К.В.7
стр. 424-430
Платно
1 АО "НПП "Пульсар", 2 АО "НПП "Пульсар", 3 АО "НПП "Пульсар", 4 АО "НПП "Пульсар", 5 Физико-технологический институт РАН, Москва, 6 Физико-технологический институт Российской АН, Москва, Нахимовский пр-т, 34, 7 Физико-технологический институт РАН, Москва
  • В выпуске: №6, 2017, Том 46
  • В журнале: Микроэлектроника
  • Издательство: ФГУП «Издательство «Наука»
  • Рубрика ГРНТИ: Информатика. Информационные и вычислительные системы
  • Год выхода: 2017
Аннотация:
Рассмотрены особенности электромагнитного моделирования СВЧ ключа для частотного диапазона 1-20 ГГц, который затем был изготовлен по С3МОSНFЕТ технологии на АlGаN/GаN гетероструктурах с?использованием high-К диэлектрика и?контактов с?емкостной связью.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.